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时间：2026年9月16日14:00

地点：B1-c101

主讲人：仝金程

邀请人：杨文

讲座内容：

后摩尔时代，开展以碳纳米管和石墨烯为核心的碳基芯片是集成电路领域研发的重要方向之一。通过合成石墨烯纳米带或者掺杂的策略可以制备具有一定带隙的石墨烯半导体，但从技术成熟度与规模化角度考量，基于高质量、晶圆级CVD石墨烯导体直接开发石墨烯基集成电路，无疑是一条更具现实可行性的技术路径。

本报告将着重阐述基于石墨烯导体的新型多功能信息器件的最新研究进展。基于石墨烯优异的电子面内传输以及质子可穿透特性，通过发展电解质双栅控体系，实现了对超强电场强度（> 3 V/nm）和电荷密度的解耦与控制，突破了单一载流子的局限，研制出世界首例兼具电子和离子双载流子功能、可同时执行记忆存储和逻辑计算的新型信息器件。通过进一步设计扭转双层石墨烯体系，在单器件层面可实现具有并行逻辑运算与记忆功能的多种运算模式，为实现石墨烯芯片的集成奠定了基础。

在此基础上，本报告将进一步展望该类器件在实现新型计算架构和大规模碳基集成电路的潜力与应用前景。

主讲人简介：

仝金程，东南大学青年首席教授，博士生导师。获得国家级青年人才项目资助。博士毕业于英国曼彻斯特大学，并先后在剑桥大学、曼彻斯特大学&英国国家石墨烯中心担任博士后研究员。主要研究方向为离子-电子输运机制与多功能信息器件。近年来以第一作者兼共同通讯作者发表包括Nature、Nature Commun.(2篇)、Nano Letters等国际顶刊多篇。代表性成果入选《物理世界》评选的“2024年物理学十大科学突破”，并被《科技日报》等媒体广泛报道。曾获得曼彻斯特大学“校长博士学者奖章”、“年度最佳科研成果奖”等荣誉。